메모리 집적도 1000배 향상 소재 발견

■ 메모리 집적도 1000배 향상 소재 발견

 

● 원자간 상호작용 소멸로 기존 공정 한계 극복

 

삼성미래기술 육성사업이 지원한 UNIST(울산과학기술원) 에너지·화학공학부 이준희 교수 연구팀이 차세대 메모리 반도체의 집적도를 1,000배 이상 향상시킬 수 있는 이론과 소재를 발표했다. 이 연구는 2020년 07월 02일 세계적인 학술지 '사이언스'에 게재됐다. 사이언스에 순수 이론 논문이 게재되는 경우는 극히 드물다. 국내 연구팀 단독 교신으로 진행한 이 연구는 이론적 엄밀성과 독창성, 산업적 파급력을 인정받아 게재됐다.

 

반도체 업계는 그동안 소자의 성능을 향상시키기 위해 미세화를 통해 단위 면적당 집적도를 높여왔다. 하지만, 데이터를 저장하려면, 탄성으로 연결된 수천개의 원자 집단인 도메인이 반드시 필요해 일정 수준 이하로 크기를 줄일 수 없었다. 반도체 소자가 한계 수준 이하로 작아지면, 정보를 저장하는 능력이 사라지는 '스케일링' 현상이 발생하기 때문이다. 이렇게 되면, 반도체의 기본 작동 원리인 '0'과 '1'을 제대로 구현할 수 없다.

 

● 나노 공정 뛰어넘는 '원자' 반도체로 메모리 1000배 높인다.

 

연구팀은 산화하프늄(HfO₂)이라는 반도체 소재의 산소 원자에 전압을 가하면, 원자간 탄성이 사라지는 물리 현상을 새롭게 발견하고, 반도체에 적용해 저장 용량 한계를 돌파하는 데 성공했다. 이 현상을 적용하면 개별 원자를 제어할 수 있고, 산소 원자 4개에 데이터(1bit)를 저장할 수 있다. 데이터를 저장하려면, 수십㎚ 크기의 도메인이 필요하다는 업계 통념을 뒤집는 연구 결과이다.

 

 

산화하프늄은 현재 메모리 반도체 공정에서 흔히 사용하는 소재이다. 이 현상을 적용할 경우 스마트폰이나 태블릿PC 같은 제품의 메모리 성능을 한층 끌어올릴 수 있어 산업계에 파급이 클 것으로 예상된다. 연구팀은 특히 이번 연구 결과를 적용하면, 반도체 크기를 줄여도 저장 능력이 사라지는 문제점도 발생하지 않는다. 현재 10㎚ 수준에 멈춘 반도체 공정을 0.5㎚까지 미세화할 수 있어 메모리 집적도가 1,000배 이상 향상되는 셈이다. 이준희 교수는 "개별 원자에 정보를 저장하는 기술은 원자를 쪼개지 않는 범위에서 최고의 집적 기술"이라며 "이 기술을 활용하면, 반도체 소형화가 더욱 가속화될 것"이라고 말했다.

 

이번 연구는 2019년 12월 삼성미래기술 육성사업 과제로 선정되어 연구 지원을 받고 있다. 과학기술 정보통신부에서도 미래 소재 디스커버리 사업으로 선정되어 지원 중이다. 삼성미래기술 육성사업은 국가 미래 과학 기술 연구 지원을 위해 2013년부터 10년 동안 1조 5000억원을 지원할 예정이다. 2020년 06월까지 589개 과제에 7589억 원의 연구비를 집행했다.